三安半导体-超低损耗高可靠性碳化硅肖特基二极管 | 申报2026第八届金辑奖最佳技术实践应用奖

申报奖项：最佳技术实践应用奖

申报领域：动力总成电气化及充换电

申报技术：超低损耗高可靠性碳化硅肖特基二极管

创新点：

电力电子领域对于功率器件性能要求的重点一直有低功耗和高可靠性，对于二极管同样如此，我司SBD在功耗和可靠性方面进行了优化提升，其中在功耗方面进行的优化主要为降低正向导通电阻，而在可靠性方面的优化为导入晶圆级理想因子测试以提升器件反偏可靠性、以及增大器件耐受正向大电流冲击的能力(浪涌可靠性提升)。

技术描述：

我司SiC SBD二极管产品应用于新能源发电领域(光伏逆变器、储能变流器)、电动汽车领域（电车充电桩、电车充电机OBC、电车DC-DC转换器）、工业电源与高端装备(数据中心电源、服务器电源、工业电机驱动)。 光伏MPPT电路：开关损耗占系统损耗30%，Qrr=0nC，损耗近乎为零，系统效+0.5%~1% 车载无线充电： 硅FRD温升导致降额运行，175℃下ΔVF<3% ，输出功率提升20%。

“金辑奖”由盖世汽车发起，秉承“发现好公司、推广好技术、成就产业人”的使命。2026年，第八届金辑奖以“中国方案向全球”为年度主题，聚焦汽车产业核心技术与创新赛道，寻找在中国市场形成、经过中国汽车产业验证，并具备全球复制价值的技术、产品、工程体系与产业协同能力。围绕真实问题、产业验证、全球适配与长期价值，金辑奖将依托盖世汽车32万家企业供应链数据库及产业研究能力，通过企业申报、产业数据和专家评审等多维度评价，发现具有产业价值与全球潜力的创新成果，并进一步沉淀为面向全球汽车产业的创新案例库。